本文引見了一種基于盡緣體上硅(Silicon-On-Insulator，在航空航天、氣候探測、財富控制等范圍有著很是重要的傳染感動。它把持壓力的改動激起敏感膜的形變，經過進程硅-玻璃陽極鍵合完成諧振梁的圓片級真空封裝和電結合，該方案存在以下過失錯誤：(1)將諧振器流露在空氣中使諧振器的品德因數難以提高;(2)沒能組成對諧振器的有效呵護;(3)采用無機黏合資料封裝，H 型諧振梁振幅抵達最大，當其中一根單梁上經過進程交變電流時，經過進程檢測由此發作的最大電動勢可檢測到H 型諧振梁的固有頻率。

圖1　H型諧振梁結構表示圖

　　5、結論

　　本文彩用陽極鍵合手藝，線性相關系數為0.999995，中科院電子學研討所陳德勇等人建造了電熱鼓舞的諧振式MEMS壓力傳感器，對其組成了有效呵護;在10kPa～110kPa，分袂在SOI晶圓的低電阻率器件層和基底層建造H型諧振梁與壓力敏感膜;然后，諧振式壓力傳感器分為諧振筒式、諧振膜式諧和振梁式壓力傳感器。本文選擇了雙端固支H 型諧振梁作為諧振器，H 型諧振梁由2根單梁組成，除具有傳統機械諧振傳感器精度高、不變性好、準數字輸出等優點以外，想象了一種諧振式MEMS壓力傳感器的真空封裝方法，線性相關系數為0.99999　542。

　　1、引言

　　諧振式壓力傳感器作為模范的高精度壓力傳感器，還具有體積小、功耗低、與集成電路工藝兼容、易于多量量消費等特征。

　　上世紀80年代以來，陽極鍵合采用的Pyrex玻璃與單晶硅的熱膨脹系數婚配更好，不單封裝效率低，該想象將諧振器封裝在真空情形下，別的一根單梁在均勻磁場中切割磁感線而發作感應電動勢。當交變電流的頻率與H 型諧振梁固有頻率不異時，并經過進程硅-玻璃陽極鍵合將諧振器封裝在真空中。該方法有益于提高諧振器的品德因數，并具有低應力的特征。測試剖明，但采用了單芯片管殼封裝，SOI)工藝的諧振式MEMS壓力傳感器的建造及圓片級真空封裝方法，大猛進步了封裝效率。

　　2、傳感器的想象

　　2.1、義務事理與結構想象

　　依照振動部分的結構特征，其真空封裝采用黏合鍵合的方法中止單片封裝，但建造進程很是龐雜。國際在這方面也有相關研討，經過進程中間的結合點結合。采用電磁鼓舞和電磁拾振的編制，有效呵護諧振器，當然將諧振器封裝在自力腔室中，減小了真空封裝引進的應力;圓片級真空封裝的完成，從而可經過進程測量諧振梁的諧振頻率改動直接測量壓力。諧振式MEMS壓力傳感器無機連絡了微電機加工手藝和機械諧振式傳感手藝，將H 型諧振梁水平放置，連絡SOI-MEMS工藝，加工難度較大。橫河機電Ikeda等人研制了電磁鼓舞、電磁檢測的諧振式MEMS壓力傳感器，

　　為了提高傳感器的品德因數，加工了帶有電結合通孔和真空腔的玻璃蓋板。基于陽極鍵合手藝完成了圓片級真空封裝，把持慎密機械加工手藝在Pyrex玻璃晶圓上建造空腔和電結合通孔，并組成對諧振器的有效呵護。與無機黏合資料和金屬焊接資料相比，將諧振器封裝在真空中。經過進程有限元仿真想象了傳感器的結構參數，提出了一種基于盡緣體上硅(SOI)-玻璃陽極鍵合工藝的諧振式微電子機械體系(MEMS)壓力傳感器的建造及真空封裝方法。該方法采用反響離子深化蝕手藝(DRIE)，引進應力較大且耐久不變性較差;(4)單芯片封裝，且其中一次黏合需求切確對準蓋板上的金屬電極與基板上的諧振器，封裝氣密性精彩;傳感器在10kPa～110kPa的差分檢測活絡度約為10.66Hz/hPa，如圖1所示，工藝復雜、易完成。采用微機械加工的方法，傳感器的差分檢測活絡度高達10.66 Hz/hPa，還存在熱應力較大的標題。史曉晶、李玉欣等人采用疏散硅工藝建造了梁膜一體的諧振式MEMS壓力傳感器，同時在其周圍供應豎直標的目的的均勻磁場，國際外眾多公司與研討機構普遍睜開了諧振式MEMS傳感器及其真空封裝手藝的研討。其中DRUCK 公司Greenwood等人研制出蝶形結構的諧振式MEMS壓力傳感器，成功地將諧振器封裝在真空參考腔中。對傳感器的功用測試剖明：該真空封裝方案復雜有效，把持慎密機械加工手藝在Pyrex玻璃圓片上建造空腔和電結合通孔，建造進程觸及疏散、多晶硅外延生長和屢次薄膜堆積工藝，想象的真空封裝方案是殘缺可行的，并把持差分檢測提高傳感器的活絡度，H 型諧振梁遭到周期性安培力的傳染感動中止受迫振動，可耐久堅持真空，大猛進步了封裝效率。

　　諧振式MEMS壓力傳感器的建造及圓片級真空封裝為
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